همان­طور که اشاره شد نوسان‌سازکولپیتس با اعمال ساختار فیدبک خازنی در طراحی نوسان‌ساز تک ترانزیستوری ایجاد می­ شود. شکل (۲-۱۵) یک نوسان‌ساز کولپیتس را نشان می­دهد. در این ساختار با تحریک ورودی در سورس می­توان تابع انتقال از ورودی به خروجی را محاسبه کرد که در رابطه­ (۲-۵) نشان داده شده است.

با فرض  به­ عنوان فرکانسی که در آن شرط حلقه تحقق می­یابد، می­توان معادله­
شماتیک نوسان‌ساز کولپیتس
(۲-۵) را تحلیل کرد و به روابط زیر را برای نوسان‌ساز کولپیتس رسید

که در آن R مقاومت موازی معادل با سلف می‌باشد. توجه به رابطه­ (۲-۶) به سادگی ثابت می­ شود که در نوسان‌ساز کولپیتس، شرط لازم برای نوسان برابر است با:  .

• • نوسان‌ساز هارتلی

نوسان‌ساز هارتلی از طریق ایجاد مسیر فیدبک با بهره گرفتن از سلف­ها و موازی کردن خازن تانک ایجاد می­ شود. ساختار یک نوسان‌ساز هارتلی در شکل (۲-۱۶) نشان داده شده است. در این ساختار همانند آنچه در نوسان‌ساز کولپیتس اشاره شد، با اعمال ورودی و محاسبه­ تابع تبدیل از ورودی و خروجی فرکانس نوسان محاسبه می­ شود. در اینجا فقط نتایج نهایی ذکر می­ شود.

شماتیک نوسان‌ساز هارتلی
که R مقاومت موازی و L_eq سلف معادل تانک می‌باشد که برابر L₁+L₂ است. ساختارهای کولپیتس و هارتلی معرفی شده بدلیل خروجی تک­سر در برابر منابع نویز مد مشترک از جمله نویز منبع تغذیه و بستر^[۱۱] حساسیت زیادی دارند. بنابراین امروزه بیشتر از ساختارهای تفاضلی ضربدری نوسان‌سازهای LC استفاده می­ شود که در بخش بعد به توصیف آن پرداخته شده است.
توپولوژی تفاضلی تزویج ضربدری (Cross-Coupled)
برای طراحی نوسان‌ساز LC تفاضلی می­توان از دو ساختار تک ترانزیستوری با تانک LC موازی استفاده کرد و آنها را بگونه­ای به­هم وصل کرد که شرایط نوسان بارک­ هوزن برای ایجاد نوسان برقرار باشد. شکل (۲-۱۷) بخش Cross-Coupled یک نوسان‌ساز LC را نشان می­دهد.

قسمت Cross-Coupled نوسان‌ساز LC
در نوسان‌ساز LC این ساختار به عنوان بخش تولیدکننده­ مقاومت منفی به منظور جبران تلفات تانک استفاده می­ شود. با رسم مدل سیگنال کوچک برای این ساختار و استفاده از یک منبع تست می­توان مقاومت دیده شده از دو سر آن را محاسبه کرد. شکل (۲-۱۸) مدل سیگنال کوچک آن را نشان می­دهد.
مدل سیگنال کوچک شکل (۲-۱۷)
با بهره گرفتن از قوانین KVl و KCl به شیوه­ نشان داده شده در زیر مقدار مقاومت دیده شده از دوسر V₁ و V₂ محاسبه می­ شود.

با ترکیب معادلات (۲-۸) و (۲-۹) معادله­ (۲-۱۰) حاصل می­ شود

رابطه­ (۲-۱۰) بیان می­ کند که ساختار ضریدری شکل (۲-۱۷) مقاومت منفی با اندازه  ایجاد می­ کند. حال اگر این مقاومت بتواند تلفات ناشی از تانک را خنثی کند، نوسان می ­تواند رخ دهد. به عبارت دیگر اگر تلفات تانک با R_p نشان داده شود، برای برقراری نوسان با ساختار کراس­کوپل شرط زیر باید برقرار باشد.

در ادامه چند مدل از توپولوژی­ تفاضلی نوسان‌ساز ­LC ارائه می­ شود، که در آنها برای ایجاد مقاومت منفی از ساختار Cross-Coupled استفاده شده است. در این ساختارها عملکرد پارامترهایی چون فرکانس مرکزی، توان مصرفی، نویز فاز و سطح اشغال شده مورد بررسی قرار می­گیرد. در یک دسته بندی، نوسان‌سازهای LC Cross-Coupled با توجه به نوع ترانزیستورهای بکار برده شده در آنها به سه نوع NMOS ، PMOS و نوع تکمیلی NMOS-PMOS LC OSC تقسیم بندی می­شوند[۸]. نوسان‌سازهای بیان شده به ترتیب در شکل­های (۲-۱۹) و (۲-۲۰) و (۲-۲۱) نشان داده شده ­اند. هر ساختار مزایا و معایبی نسبت به دیگر ساختارها دارد که در ادامه به آنها اشاره می­ شود.
در شکل (۲-۱۹) نمونه NMOS LC OSC که با ترانزیستورهای NMOS طراحی شده است، نشان داده شده است. این ساختار شامل دو سلف، دو خازن و یک طبقه سوئیچ­های Cross-Coupled شده می­باشد. بخش مقاومت منفی این نوسان‌ساز با ترارسانایی طبقه­ی Cross-Coupled ایجاد می­ شود. سلف­ها مستقیما به تغذیه وصل شده ­اند، زیرا این کار آسیب پذیری نوسان‌ساز را در برابر نویز منبع تغذیه کاهش می­دهد[۹]. در شکل (۲-۱۹ب) یک منبع جریان که با ترانزیستور NMOS ساخته شده است وجود دارد. این منبع جریان این امکان را به طراح می­دهد که بتواند توان مصرفی نوسان‌ساز را کنترل کند. اگرچه با حذف منبع جریان، می­توان مقدار منبع تغذیه DC را کاهش داد و به ساختار ولتاژ پایین­تری رسید و همانطور که در مرجع [۱۰] اشاره شده است، حذف منبع جریان به دلیل افزایش دامنه نوسان، می ­تواند عملکرد نویز فاز را بهتر کند ولی این کار قابلیت کنترل­پذیری دامنه نوسان را کاهش می­دهد. بنابراین همانطور که در بخش­های بعدی نیز اشاره می­ شود همواره مصالحه­ای بین توان مصرفی و نویز فاز وجود دارد.

نوسان‌ساز کراس کوپل NMOS. الف: با منبع جریان دنباله ب:بدون منبع جریان دنباله
شکل (۲-۲۰) توپولوژی دیگری از نوسان‌سازهای LC Cross-Coupled را نشان می­دهد که بر پایه­ ترانزیستورهای PMOS بنا شده است. نویز فاز و توان مصرفی این ساختارها با نوع مشابه NMOS آن کاملا متفاوت است. دلیل آن هم قابلیت تحرکت­پذیری حفره­ها است که در PMOS با نوع NMOS آن تفاوت زیادی دارد. شکل (۲-۲۰ الف) نیز نمونه­ دیگری از نوسان‌ساز LC را با منبع جریان ساخته شده با ترانزیستور PMOS نشان می­دهد که جریان مدار را کنترل می­ کند. این منبع جریان نقش مشابه با نوع مشابه NMOS خود را در مورد توان مصرفی و نویز فاز دارد. در نوع PMOS سلف­ها مستقیما به منبع تغذیه وصل نمی­شوند، بنابراین در برابر نویز منبع آسیب پذیرترند. اثر نویز منبع تغذیه و زمین در نوسان‌ساز LC در مرجع [۱۱] بخوبی بیان شده است. همچنین استفاده از ساختارهای شکل (۲-۲۰) می ­تواند سبب کاهش نویز مدار شود زیرا نویز فلیکر ایجاد شده توسط ترانزیستور PMOS ده برابر کمتر از ترانزیستور NMOSاست[۱۲]. از طرف دیگر قابلیت تحرک حفره­ها کمتر از الکترون­ها است. بنابراین برای ایجاد مقاومت منفی مشابه سایز ترانزیستورهای PMOSتقریباً باید دو برابر سایز ترانزیستورهای NMOS باشد که این به نوبه خود مقدار خازن­های پارازیتی افزاره را افزایش می­دهد.

نوسان‌ساز کراس کوپل PMOS. الف: با منبع جریان دنباله ب:بدون منبع جریان دنباله
در شکل (۲-۲۱) یک نوسان‌ساز LC تکمیلی نشان داده شده است. این ساختار ترکیبی از مشخصه­های هر دو نوسان‌ساز NMOS تنها و PMOS تنها را در بر دارد. یکی از مزایای این ساختار این است که به ازای مصرف توان یکسان، نسبت به نوسان‌سازهای شکل (۲-۱۹) و (۲-۲۰) می ­تواند دامنه­ نوسان بزرگتری ایجاد کند.
از معایب این ساختار نیز می­توان به موارد زیر اشاره کرد[۱۳]: